3月10日，进化半导体官微宣布，其全资子公司--#苏州燎塬半导体有限公司--通过提拉工艺和热场的改进，成功基于“无贵金属工艺”（PMF-Precious Metal Free）制备出直径85mm ，即3英寸 (011)面β-Ga2O3掺锡n型导电单晶。

这是国际上首次报道基于“无贵金属”技术体系达到3英寸(011)晶体的纪录，也是目前国际上直拉工艺获得的最大(011)单晶。

此次突破的核心在于攻克了氧化镓晶体生长长期依赖贵金属（如铱、铂、铑）的“卡脖子”难题。传统导模法、铸造法及VB法均需使用高成本、高耗材的贵金属坩埚，而进化半导体的PMF技术路线（Precious Metal Free）完全避开了这一技术路径，在热场设计、提拉工艺上实现创新，成功绕开对铱、铂、铑等贵金属的依赖。

(011)晶面是日本#NCT公司 于2025年下半年推出的新型晶面，相较于主流的(001)晶面，该晶面在产业应用上具有显著优势：可有效减少位错对垂直电流方向漏电的影响，实现更低的漏电流和更高的击穿电压，为制备高品质厚外延（漂移层）和欧姆接触提供了更优的物理基础。

进化半导体（深圳）有限公司成立于2021年5月，是一家专注于以氧化镓为代表的第四代半导体材料研发与制造的高新技术企业。苏州燎塬半导体有限公司是进化半导体旗下集晶体生长、晶片加工、清洗检测于一体的全套氧化镓晶片生产基地。

2025年12月，进化半导体宣布完成近亿元人民币融资，本轮融资由中合汽车基金和同创伟业领投，国发创投、深圳高新投、浙商创投、泰融资本等知名投资机构跟投，老股东祥峰投资坚定加注。资金将主要用于持续研发投入、团队扩充及研发测试能力的升级建设，加速推动氧化镓材料的国产化进程。

（文/集邦化合物半导体整理）

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