富采光电申请发光元件及其制造方法专利，第一厚度小于第二厚度_资讯

富采光电申请发光元件及其制造方法专利，第一厚度小于第二厚度

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2026-08-03 17:56:57

国家知识产权局信息显示，富采光电股份有限公司申请一项名为“发光元件及其制造方法”的专利，公开号CN122497169A，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该发光元件包含一半导体叠层，包含第一半导体层、活性区域、第二半导体层以及暴露区，其中暴露区包含第一半导体层的上表面及半导体叠层的侧壁；第一保护层，覆盖暴露区以及半导体叠层；介电材料叠层，位于半导体叠层上，包含由不同折射率的介电材料交互堆叠而成的多个介电材料对及一或多个第一开口；以及金属结构，位于第一反射结构上，填入一或多第一开口与第二半导体层电连接；其中，第一保护层包含第一部分位于暴露区的第一半导体层上表面之上且具有第一厚度，以及第二部分位于第二半导体层之上且具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。

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来源：市场资讯

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