近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证成果发布暨战略合作框架签约仪式，在深圳平湖实验室顺利举办。

该项目由深圳平湖实验室、深圳市志橙半导体材料股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所三方联合推进。

本次中试验证顺利落地，标志国内第三代半导体核心材料与装备协同攻关取得阶段性重要进展，为SiC功率器件大尺寸、高性能产业化发展筑牢技术基础，也是国内半导体产业链自主创新、上下游协同突破的重要实践成果。

产业合作层面，三方现场签署战略合作框架协议。未来各方将聚焦SiC工艺迭代升级、专业技术人才培养、科研成果产业化转化等维度开展深度协同，持续发挥深圳平湖实验室产学研用一体化枢纽作用，完善第三代半导体本土创新生态。

业内人士表示，此次8英寸SiC关键材料与核心装备同步完成国产化验证，打通了“材料—装备—工艺—验证”的全链条自主闭环，进一步提升国内第三代半导体产业链自主可控能力与供应链稳定性，为后续高端SiC功率器件规模化量产、技术迭代升级提供了坚实的技术与产业支撑。

（文/集邦化合物半导体整理）

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