8月24日，晶盛机电发布投资者关系活动记录表。公司就半导体装备业务、碳化硅衬底材料及金刚石材料等领域的进展作出说明。

半导体装备：12英寸外延设备实现销售，ALD设备进入头部产线验证

在集成电路装备领域，公司正积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。公司自主研发的12英寸常压硅外延设备已实现小批量销售，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平；12英寸硅减压外延生长设备已实现销售出货并取得重要客户复购；12英寸原子层沉积设备已进入国内头部逻辑产线验证。在先进封装领域，公司成功开发超快紫外激光开槽设备，填补了国内高端紫外激光开槽技术领域的空白。

在化合物半导体装备领域，公司围绕碳化硅产业链向8英寸切换的趋势，加强8至12英寸碳化硅外延设备、减薄设备及激活炉的市场推广并取得客户订单；碳化硅氧化炉及离子注入设备的客户验证进展顺利。在新能源光伏装备领域，公司聚焦TOPCon提效与BC技术创新，持续推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD及ALD等设备的市场推广和客户验证。

碳化硅衬底：12英寸晶体生长突破，8英寸已大规模供应

在碳化硅衬底材料方面，公司表示已实现从技术突破到规模化供应的关键跨越。基于自主研发的碳化硅单晶生长炉及持续迭代的8至12英寸长晶工艺，公司创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克了12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破。公司已向产业链客户进行送样验证。目前8英寸碳化硅衬底已实现大规模供应，12英寸已实现小批量供应。

产能方面，公司正积极推进全球化布局：在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化项目，在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成“国内+海外”双基地布局。公司正加速推进6英寸及8英寸碳化硅衬底年产90万片项目投产。马来西亚槟城项目预计2027年投产。

金刚石材料：8英寸多晶晶圆研制成功，量产线已建成

公司完成了大尺寸金刚石晶圆材料的关键技术攻关，成功研制出8英寸多晶金刚石晶圆，全面掌握了1至8英寸全规格晶圆生长工艺，并建成大尺寸金刚石量产线。该成果为国内高端热沉材料的自主供应奠定了技术基础。

（文/集邦化合物半导体整理）

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