国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN122699360A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请提供了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。功率器件包括:半导体本体包括阱区、第一区域和第二区域，第一表面设置有栅极沟槽；第一区域为第一导电类型且位于第一表面；第二区域为第二导电类型侧；第二区域由栅极沟槽的底部延伸至栅极沟槽的侧壁，覆盖部分侧壁；第二区域包括倾斜部，倾斜部设置于栅极沟槽的槽角处，倾斜部相对于栅极沟槽的侧壁倾斜设置，且倾斜部包括邻近第一表面的第一端和邻近第二表面的第二端，沿第一方向，第二端相对于第一端更远离所述栅极沟槽的侧壁。本申可请以提高器件击穿电压，提高器件的可靠性。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目44次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可77个。

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来源：市场资讯