带领我国三维闪存技术从零起步达到国际一流水平

2016年以来，霍宗亮担任长江存储控股股份有限公司、长江存储科技有限责任公司首席科学家，完成了系列三维闪存芯片开发。作为研发团队的领军者，他承担着战略规划与技术攻关的职责，发挥着“定盘星”与“风向标”的作用，在提出创新思路、制定创新措施、解决技术难题时冲锋在前，带领团队攻克三维闪存核心技术难题，主导了我国三维闪存技术从零起步达到国际一流水平的跨越式发展进程。 心怀“国之大者”，将个人事业追求与国家战略需求紧密结合。2010年，在获悉国家开展集成电路科技攻关之际，他毅然放弃国外优越的研发环境和优厚的生活待遇，回国从事存储器研发至今。在十余年的三维闪存研发过程中，不为短期利益所动，不急于求成，愿意坐“冷板凳”，潜心致力于基础性、原创性研究。 2018年，霍宗亮带领团队开发完成32层三维闪存芯片，打破了我国三维闪存芯片长期依赖进口的局面。2022年，长江存储成为全球首批推出200层以上三维闪存芯片的企业，霍宗亮带领团队实现国内存储技术首次领先世界先进水平。面对错综复杂的国际环境，坚定自信，不惧挑战，以先进的工艺需求为牵引，积极推动多元化设备与材料的关键技术应用验证，为推动我国集成电路产业高质量发展作出卓越贡献。 长江存储科技有限责任公司首席科学家、正高级工程师 撰文：祝建松 杨斌