8月3日消息，据etnews报道，SK海力士计划在2025年上半年量产321层NAND Flash之后，在2025年底开始量产400层NAND Flash，并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。

然而，要想量产高达400层的NAND Flash并不容易，生产过程中需要用到多种键合技术。SK海力士已经在审查用于键合的新材料，并研究各种技术，这些技术将允许通过抛光、蚀刻、沉积和布线等方法连接不同的晶圆。

整个过程需要几个步骤，如Cell结构设计，重点是每层Cell的排列和堆叠。然后通过清洗和沉积SiO2和Si3N4薄膜层来制备硅片。然而，当通过大量重复逐一堆叠层时，该过程需要细致地执行。

SK海力士达到400层的方法是通过Peripheral Under Cell方法将控制存储单元的外围电路位于底部，而存储单元则堆叠在顶部。这种方法会提升集成度，控制尺寸，但也确实会带来损坏外围电路的问题，因为添加层会产生更多的热量和压力。

因此，SK海力士正计划实施混合键合方法，该方法涉及在两个单独的晶圆上分别制造存储单元和外围电路。然后，通过混合键合技术将晶圆粘合在一起，以降低损坏的风险。通过高层数，NAND芯片可以在不增加尺寸的情况下存储更多的数据。这不仅为紧凑型系统节省了空间并增加了存储容量，而且还带来了更经济的存储解决方案。

SK海力士此前已经实现了321层NAND Flash的样品，并于2023年8月展出，目前计划于2025年上半年开始量产。美光最近推出了具有 276 层的NAND Flash。三星已开始大规模生产具有 290 层的TLC单元，即第 9 代垂直堆叠 NAND Flash。

相对于SK海力士400层NAND Flash的目标，三星期待在2030年推出高达1000层的NAND Flash。而目前只达到218层NAND Flash的日本铠侠公司计划在三星之前达到1000层。

编辑：芯智讯-浪客剑