芯联集成申请屏蔽栅场效应晶体管专利，提供晶体管新的制备方法_资讯

芯联集成申请屏蔽栅场效应晶体管专利，提供晶体管新的制备方法

创始人

2024-08-15 01:20:26

金融界 2024 年 8 月 14 日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置“，公开号 CN202410926299.7 ，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法、电子装置，该制备方法包括：提供衬底，形成从衬底的表面延伸至衬底内部的第一沟槽，在第一沟槽的底部和至少部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在第一沟槽中形成有位于屏蔽介质层上的第一屏蔽栅，第一屏蔽栅的顶面低于屏蔽介质层的顶面；刻蚀第一屏蔽栅上方的屏蔽介质层，去除部分厚度的屏蔽介质层，以在第一屏蔽栅上方形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁上形成衬垫层；在第二沟槽中形成第二屏蔽栅；在第二沟槽中形成栅间介质层覆盖第二屏蔽栅；刻蚀去除部分屏蔽介质层、部分衬垫层、部分栅间介质层，以形成位于栅间介质层上的第三沟槽；在第三沟槽中形成栅极结构。

来源：金融界

上一篇：传小米15系列和一加13均采用新型陶瓷并非传统纯陶瓷

下一篇：龙芯中科获得发明专利授权：“向量移位方法、处理器及电子设备”

芯联集成申请屏蔽栅场效应晶体管专利，提供晶体管新的制备方法

相关内容

热门资讯