8月19日，晶合集成在官微披露，公司近期与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS。

上证报中国证券网讯（郑维汉 记者 李兴彩）8月19日，晶合集成在官微披露，公司近期与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS。该CIS基于自主研发的工艺平台，及公司与思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。

长期以来，高性能CIS，特别是5000万像素（50MP）的主摄CIS主要由索尼、三星供应。但目前，国产CIS在主流50MP产品方面已经形成突破。晶合集成在半年报中表示，中高阶BSI及堆栈式CIS芯片实现大批量生产，CIS产品像素可达到5000万，产品已进入中高阶手机市场。

本次首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时，该产品具备多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力。

晶合集成表示，上半年，CIS占公司主营业务收入的比例显著提升，已成为公司第二大产品主轴，CIS产能处于满载状态。目前，公司晶圆代工产能为11.5万片/月，2024年计划扩产3-5万片/月，且将以高阶CIS为主要扩产方向。