台积电申请图像传感器集成芯片相关专利，提高芯片性能_资讯

台积电申请图像传感器集成芯片相关专利，提高芯片性能

创始人

2024-08-21 12:20:59

金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“图像传感器集成芯片及其形成方法“，公开号 CN202410498955.8，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，在一些实施例中，本公开涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括多个栅极结构，沿着衬底的多个像素区域内的第一侧布置。蚀刻阻挡结构布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的衬底的第一侧上。接触蚀刻停止层（CESL）布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的蚀刻阻挡结构上。隔离结构，设置在衬底的一个或多个侧壁之间并且从衬底的第二侧延伸到衬底的第一侧。蚀刻阻挡结构垂直地位于隔离结构和 CESL 之间。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。

来源：金融界

上一篇：原创我国空间站要向全世界开放？合作可以，分3个等级，没那么简单

下一篇：数博会就绪！超1.1万名嘉宾注册参会，国内外320多家企业报名参展

台积电申请图像传感器集成芯片相关专利，提高芯片性能

相关内容

热门资讯