来源：全球半导体观察

AI人工智能浪潮趋势推动下，高性能存储产品HBM市场需求也水涨船高。以SK海力士、三星和美光为代表的存储厂商之间的竞争赛道也转移至HBM。尤其是在英伟达驱动下，目前，三大存储器厂商都希望把握NVIDIA HBM3e商机。

在NVIDIA今年的产品规划中，H200是首款采用HBM3e 8Hi的GPU，后续的Blackwell系列芯片也将全面升级至HBM3e。目前，美光科技和SK海力士已于2024年第一季底分别完成HBM3e验证，并于第二季起批量出货。其中，美光产品主要用于H200，SK海力士则同时供应H200和B100系列。至于三星，尽管其推出HBM3e时间较晚，但也已于近期完成验证，开始正式出货HBM3e 8Hi、主要用于H200，此外，其Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。

而近日，SK海力士和三星两家存储器厂商也披露了其HBM最新研发进展。

SK海力士：月底量产12层HBM3E

近日，SK海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）分享了SK海力士现有HBM产品规划。Kim Ju Seon预计，SK海力士将于9月开始量产其12层第五代高带宽存储器HBM3E产品，时间点早于原先规划的第四季度。

SK海力士是最早生产8层HBM3E的供应商，于今年年初开始向英伟达供货，12层HBM3E产品则将在本月底开始量产。Kim Joo-sun表示，这一进展有望显着提高数据传输速度和效率，对于HPC（高性能计算）和人工智能（AI）应用至关重要。

据台湾地区媒体报道称，SK海力士还计划将于2025年下半年推出12层HBM4，2026年推出16层HBM4。至于16层HBM4的封装技术，SK海力士将决定采用原本的MR-MUF，或改用Hybrid Bonding（混合键合）以降低厚度。

另外，SK海力士HBM4将会开始采用台积电的先进逻辑（Logic）制程，以超细微制程基础裸片（base die）增加更多的功能。同时SK海力士也将在性能和功效等方面，满足客户的客制化（Customized）需求。

SK海力士最新财报显示，今年二季度HBM需求表现尤为突出，其销售额环比增长超过80%，同比增长超过250%。与此同时，SK海力士HBM3E销售额在Q2开始显着增长，预计HBM3E bit出货量将在三季度超过HBM3，并在2024年将占HBM总销量的50%以上，随着12层堆叠HBM3E于本月逐步量产，SK海力士HBM出货将更加强劲。

三星：HBM4基础裸晶已交晶圆厂负责

9月4日，三星存储器事业部负责人Jung-Bae Lee表示，公司HBM4基础裸晶已交由晶圆厂负责。

目前AI时代遇三大挑战，即能耗、因存储器频宽限制带来的AI效能限制，以及储存容量限制。为了克服上述挑战，Jung-Bae Lee指出，在HBM4以前，三星是采用自家存储器负责制造，但在下一代高频宽存储器HBM4，基础裸晶（Base Die）已交由晶圆代工厂商负责，而三星则负责Core Die。

Jung-Bae Lee指出，三星在存储器领域的合作不限于自家晶圆代工业务，会积极与其他公司合作，持续推动存储、软件产业的成长。此外，其还表示，进入HBM4时代，存储器厂商、晶圆厂与客户间的合作日趋重要，三者之间的关系也将越来越紧密，而三星除准备好解决方案，也致力维持弹性。