金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“掩膜图形化方法、半导体结构及半导体结构的制备方法“,公开号CN117542731A,申请日期为2022年8月。
专利摘要显示,本公开涉及一种掩膜图形化方法、半导体结构和半导体结构的制备方法。所述掩膜图形化方法,包括:形成第一图形结构;于第一图形结构表面旋涂硬掩膜材料,形成硬掩膜层;于硬掩膜层上形成感光压印胶层;对感光压印胶层进行复合纳米压印光刻,以在感光压印胶层中形成压印图案,并对感光压印胶层的非压印图案区进行曝光;显影去除感光压印胶层位于压印图案下方的残余部分,在感光压印胶层中形成压印光刻图案;基于压印光刻图案刻蚀硬掩膜层及第一图形结构,在第一图形结构中形成第一掩膜图案,获得第二图形结构。本公开利于简化精细图形的工艺复杂度,降低生产成本,提高生产效率,并实现器件特征尺寸的进一步微缩。
来源:金融界