长鑫存储申请掩膜图形化方法专利，实现器件特征尺寸的进一步微缩_资讯

长鑫存储申请掩膜图形化方法专利，实现器件特征尺寸的进一步微缩

金融界

2024-02-16 12:41:21

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“掩膜图形化方法、半导体结构及半导体结构的制备方法“，公开号CN117542731A，申请日期为2022年8月。

专利摘要显示，本公开涉及一种掩膜图形化方法、半导体结构和半导体结构的制备方法。所述掩膜图形化方法，包括：形成第一图形结构；于第一图形结构表面旋涂硬掩膜材料，形成硬掩膜层；于硬掩膜层上形成感光压印胶层；对感光压印胶层进行复合纳米压印光刻，以在感光压印胶层中形成压印图案，并对感光压印胶层的非压印图案区进行曝光；显影去除感光压印胶层位于压印图案下方的残余部分，在感光压印胶层中形成压印光刻图案；基于压印光刻图案刻蚀硬掩膜层及第一图形结构，在第一图形结构中形成第一掩膜图案，获得第二图形结构。本公开利于简化精细图形的工艺复杂度，降低生产成本，提高生产效率，并实现器件特征尺寸的进一步微缩。

来源：金融界

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