金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“集成无源器件结构及其制作方法”的专利，公开号CN120417467A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种集成无源器件结构及其制作方法，在薄膜电阻上形成阻挡层，在接触通孔的刻蚀过程中，利用阻挡层与介质层的高刻蚀选择比，以阻挡层作为刻蚀阻挡层，同步形成连接MIM电容器的第一接触通孔和连接薄膜电阻的第二接触通孔，从而实现不同高度上MIM电容器和薄膜电阻的接触通孔的同步刻蚀，减少一层光罩，实现了工艺的简化，提升了工艺窗口，降低了生产成本。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目911次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可431个。

来源：金融界