台积电取得半导体器件及其形成方法专利，实现高效形成半导体器件_资讯

台积电取得半导体器件及其形成方法专利，实现高效形成半导体器件

金融界

2024-04-04 12:21:20

金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN112750856B，申请日期为2020年10月。

专利摘要显示，一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方沉积第一介电层；在第一介电层上方沉积第一电极层；蚀刻第一电极层，以形成第一电极，和与第一电极横向地分隔开的第二电极；在第一电极和第二电极上沉积自旋轨道转矩(SOT)材料；在SOT材料上沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上沉积第二电极层；蚀刻SOT材料，以形成从第一电极至第二电极延伸的SOT层；蚀刻MTJ层，以在SOT层上形成MTJ堆叠件；以及蚀刻第二电极层，以在MTJ堆叠件上形成顶部电极。本申请的实施例另一方面提供一种半导体器件。

来源：金融界

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