加码碳化硅！华为申请晶体生长专利
天眼查资料显示，4月5日，华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。
source：国家知识产权局
该专利摘要显示，本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动方向，将气相源的运动方向改变为斜向上，使气相源朝向籽晶的小面运动。本申请实施例可提高晶体的生长速度，提高晶体的厚度和质量，降低微管密度。另外，选用低密度石墨作为挡板的材料，当通道被封堵后，低密度石墨内的孔隙可以供气体通过，能进一步降低晶体内包裹物的含量，提高晶体质量。
目前，华为正在全面布局SiC产业。产品方面，2023年4月，华为举办了智能电动新品发布会，发布了搭载高效SiC技术的“DriveONE新一代超融合黄金动力平台”。
据华为介绍，DriveONE新一代超融合黄金动力平台是业界最高效率量产高压同步总成解决方案，基于高效SiC模组以及华为电机仿真寻优平台，华为打造92%CLTC效率的业界最高效的CLTC工况动力总成，相对于业界同类方案，效率领先1.5个百分点；这款平台同时支持750V和900+V双电压适配，在250A的快充桩上就可以实现极速4C充电，7.5分钟把电池SOC从30%提升到80%，续航增加250km。
合作方面，2023年11月，华为携手奇瑞发布的智界S7电动汽车，就搭载了全新一代DriveONE 800V高压SiC黄金动力平台。据悉，全新一代DriveONE 800V高压SiC黄金动力平台搭载了行业内量产最高转速的电机，这款电机的每分转速高达22000转。
通过采用高压SiC技术，华为将电机的最高效率提升到了98%。这意味着在相同的电量消耗下，华为的电机能够提供更高的动力输出，从而为车辆带来更好的加速性能和行驶效率。
投资方面，据集邦化合物半导体不完全统计，截至目前，华为通过旗下华为哈勃投资了SiC衬底企业山东天岳、天科合达，外延企业天域半导体、瀚天天成，设备相关企业特思迪，材料相关企业德智新材，华为投资对象遍及SiC全产业链。
文：集邦化合物半导体Zac整理