IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能，同时还计划于明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产。

当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度，已经达到去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍，良率提升速度也更快。据IT之家了解，HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台。

美光表示，HBM4 量产提速主要有三个原因。首先，是此前量产 HBM3 与 12 层 HBM3E 过程中积累的经验与学习效应。其次，HBM4 核心裸片采用了美光 10 纳米级第五代 1-beta（1β）工艺。

美光表示，1β 目前已经是公司主力工艺，并且在性能和良率方面证明了稳定性。第三，则是美光内部优化的基础裸片设计。美光表示，1β DRAM 搭配自主制造的基础裸片后，能够进一步提升产品质量与性能。

不过，从下一代 HBM4E 开始，美光将调整部分生产策略。HBM4E 核心裸片将改用 10 纳米级第六代 1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对应三星电子和 SK 海力士的第六代 10 纳米级 1c 工艺，同时也是美光首次采用 ASML 极紫外光刻设备的工艺节点。

另外，HBM4E 的基础裸片未来将不再由美光自行生产，而是改由台积电代工。巴蒂亚表示，目前 HBM4E 开发进展顺利，美光预计明年启动量产。首批产品将采用 JEDEC 标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。虽然定制产品成本会高于标准版，但美光认为，凭借更高性能和更多功能，市场需求仍会非常强劲。

三星电子和 SK 海力士目前也正在推进 HBM4E 开发。三星电子计划于今年第二季度提供首批 HBM4E 样品，基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与 HBM4 相同的 4 纳米工艺制造。

SK 海力士则计划于今年下半年向客户提供 HBM4E 样品，并在明年开始量产。SK 海力士未来仍将由台积电负责基础裸片生产，据称将采用 3 纳米工艺。

美光同时预计，到今年年中，基于 1γ 工艺生产的 DRAM 以及第九代 NAND 闪存产品，将占公司总位元出货量的一半以上。其中，1γ DRAM 预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一 DRAM 工艺节点。