闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈
创始人
2026-06-23 08:36:57

6月22日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM 是核心存储器件。但如今研发成本攀升、工艺良率存在短板、芯片功耗持续走高，行业不得不转向其他可行技术方案。

高带宽内存（HBM）此前一直稳步迭代，可受产能短缺影响，其自身也迅速演变为新的性能瓶颈。HBM 还存在其他短板，单堆叠容量偏低。尽管各代 DRAM 厂商持续提升 HBM 的带宽与单堆容量，产能供给始终跟不上市场需求。同时 HBM 仅能放置在主芯片侧边，芯片间数据传输存在显著延迟损耗。

上一篇：从“高糊”到高清，上海静安撬动千亿视听产业

下一篇：省内首例！贵安供电局实施低压发电车同期并网接入作业

相关内容

热门资讯

从北到南，“星火”燎原！V聚场... 一年前的夏天，“V聚场”在杨浦启幕，首个空间创智天地6号楼敞开大门。一年后，“V聚场”已然开枝散叶，...
云南大理：新型研发机构助力守护... 昆明7月13日电 (易卓艳)在云南省大理白族自治州，科考船驶出码头，科研人员扛着采样瓶、水质检测仪奔...
曾破坏字节模型训练的前实习生田... 前字节实习生田柯宇曾损毁模型训练项目并被起诉，创办世界模型企业获数千万美元融资，公司估值2亿美元 ...
华科团队十年磨出“蜘蛛侠”机器... 华科团队十年磨出“蜘蛛侠”机器人 最初只为擦玻璃 如今能爬大飞机机身 科技博主“阿如科学+”拍摄真...
台风“巴威”来袭！全市建设系统... 今年第9号台风“巴威”来袭。风雨为令，全市建设系统1075支应急抢险队伍在岗备勤，分片区前置布防，随...