闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈_资讯

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2026-06-23 08:36:57

6月22日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。过去，芯片厂商只需推出全新存储技术就能满足需求，彼时 DRAM 是核心存储器件。但如今研发成本攀升、工艺良率存在短板、芯片功耗持续走高，行业不得不转向其他可行技术方案。

高带宽内存（HBM）此前一直稳步迭代，可受产能短缺影响，其自身也迅速演变为新的性能瓶颈。HBM 还存在其他短板，单堆叠容量偏低。尽管各代 DRAM 厂商持续提升 HBM 的带宽与单堆容量，产能供给始终跟不上市场需求。同时 HBM 仅能放置在主芯片侧边，芯片间数据传输存在显著延迟损耗。