IT之家 7 月 17 日消息，安徽大学研究团队制备出世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元，这一成果有望为未来高密度、高速度的存储技术提供关键支持。

2009 年，德国科学家在一类手性金属磁性材料中，发现一种具有非平庸拓扑特性的磁结构，称之为磁斯格明子。其具有尺寸小、稳定性高、电流易操控等优点，有望作为下一代数据载体，用于构筑新型的磁电子学器件。

但如何让磁斯格明子在纳米尺度的赛道中稳定、可控地移动，一直是科研人员面临的难题。

▲单个 80 nm 磁斯格明子在 100 nm 赛道中的一维、稳定、高速运动

安徽大学研究团队发展了器件结构单元聚焦离子束加工制备技术，设计制备出厚度均匀、边界 / 表面平整、非晶层厚度小于 2 nm 的高质量 FeGe 纳米条带（长度：10μm、宽度：100 nm）。

通过控制电流脉冲宽度及电流密度，利用赛道边界的边缘态磁结构稳定斯格明子运动，实现了单个 80 nm 大小的磁斯格明子在 100 nm FeGe 赛道中的一维、稳定运动。

相关研究成果发表于《自然 — 通讯》，IT之家附论文链接如下：