在功率电子器件领域，氮化镓（GaN）技术以出众的性能和广阔的应用前景，正逐步成为行业的新宠。英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）作为氮化镓技术的开拓者和领军者，凭借雄厚的研发实力、精湛的生产工艺以及丰富的产品线，正引领着功率电子器件的新一轮革命。

氮化镓分立器件是英诺赛科的核心产品之一。英诺赛科设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖了从15V至1,200V。此外，英诺赛科还开发了旗舰产品双向氮化镓芯片V-GaN系列，可应用于消费电子、工业应用等多个领域。V-GaN系列是英诺赛科首创的专利技术，最大的特点是由于可以实现双向导通，一颗 V-GaN芯片能替代两颗硅MOSFET，从而达到节省空间、降低发热的效果。因此，应用V-GaN产品可显著提升整体系统的成本效益。

除了分立器件，英诺赛科还专注于氮化镓集成电路的设计与制造。将氮化镓器件与其他电子元件（如驱动器及保护装置）集成，简化了电路复杂性。这些集成电路以低发热、高驱动器效率、高精度和小型化的特点，显著提升了整体系统可靠性，成为众多行业应用的首选。

英诺赛科凭借强大的量产能力及先进的8英寸硅基氮化镓晶圆生产工艺，确保了产品的稳定供应。截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，累计出货量已突破5亿颗，充分彰显了其在全球市场的领导地位。

英诺赛科在核心技术和关键工艺方面的前瞻性战略及突破，使得公司的8英寸硅基氮化镓晶圆，相比传统6英寸晶圆，晶粒产出提升80%，成本降低30%，体现了其在成本控制与生产效率上的绝对优势；此外，公司率先拓展氮化镓产品的应用范围，与电子消费产品、汽车、可再生能源等广泛领域的领先客户紧密合作，打造强大而丰富的行业生态系统。

招股书显示，英诺赛科氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，营业收入实现强劲增长。具体来看，英诺赛科的年度收入从2021年的6821.5万元人民币跃升至2023年的5.9亿元人民币，收入复合年增长率高达194.8%。其亮眼的业绩表现不仅反映了市场对英诺赛科产品的高度认可，更预示着其未来充满无限的发展潜力。

凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按氮化镓分立器件出货量统计，英诺赛科2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。

随着新能源汽车等优势产业的兴起，氮化镓功率半导体迎来巨大的市场机遇。据权威机构预测，氮化镓功率半导体行业规模预期将进一步按98.5%复合年增长率加速增长，由2024年的32.28亿元增长至2028年的501.42亿元。其中，消费电子、可再生能源、新能源汽车和数据中心等细分市场均展现出良好的增长潜力。英诺赛科依托在氮化镓技术领域的深厚底蕴与持续创新，已经确立行业领先地位。随着产能释放和市场需求增长，在可预见的未来，英诺赛科将逐步达成实现盈利的目标。此外，随着技术的不断进步与市场的持续拓展，英诺赛科有望在全球功率半导体市场扮演更为重要的角色。

转载自 第三代半导体产业技术战略联盟