辽宁冠华半导体申请电容式压力传感器专利,大幅精简整机内部构造
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2026-08-17 20:01:40

国家知识产权局信息显示,辽宁冠华半导体有限公司、拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请一项名为“电容式压力传感器”的专利,公开号CN122567097A,申请日期为2026年7月。

专利摘要显示,本申请涉及压力传感器技术领域,具体为电容式压力传感器。电容式压力传感器包括外壳、固定组件、电容组件、控温机构以及压紧组件,通过将将压紧组件、固定组件与电容组件集成组成传感器核心单元,各功能构件依托固定组件集中布设,大幅精简整机内部构造,改善现有产品结构繁杂的弊端。整体集成布置省去大量独立配套零件,降低零部件的加工工艺难度与加工指标要求,零部件生产更容易实现。传感器核心单元采用模块化预装方式,装配时可将核心单元整体装入外壳,简化分步装配流程,装配操作便捷高效。零部件加工难度下降、装配工序精简,有效减少生产耗材与工时消耗,从加工、装配两端压缩生产成本,利于产品大批量量产。

天眼查资料显示,辽宁冠华半导体有限公司,成立于2022年,位于沈阳市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,辽宁冠华半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目3次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息1条,此外企业还拥有行政许可10个。

拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司,成立于2023年,位于沈阳市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本336201.367794万人民币。通过天眼查大数据分析,拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司参与招投标项目29次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息552条,此外企业还拥有行政许可19个。

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来源:市场资讯

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